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Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormesstechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngroessen des Transistors be- schaeftigt, in ganz entscheidendem Masse Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfaeltigen Messverfahren erscheint deshalb zum gegenwaertigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormesstechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muss, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen- roehre. Die Kennwerte haengen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Gruenden versagen, auch nur annaehernd ausreichendes Datenmaterial fuer die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der UEberlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine groessere Anzahl von Kenn- werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schliesslich veranlassten - vor allem in der ersten Entwicklungs- phase - die grossen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngroessen einen hohen messtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermassen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu koennen. Gegenstand der Transistormesstechnik sind nicht die grundsaetzlichen schwach- stromtechnischen Messverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An- wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fuelle der bekannt gewordenenVerfahren versagte es von vornherein, ueber das zum Ver- staendnis grundsaetzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs- auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Kuerzung duerfte zugunsten einer ueber- sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.